Epitaxial graphene perfection vs. SiC substrate quality

Dane publikacji
  
Typ publikacjiPublikacja w czasopiśmie
Rodzaj publikacjiArtykuł
Tytuł publikacjiEpitaxial graphene perfection vs. SiC substrate quality
Adres internetowyhttp://www.springerlink.com/content/j0l0n1166w49x2l8/fulltext.pdf
Tytuł czasopismaCENTRAL EUROPEAN JOURNAL OF PHYSICS
Mediumpublikacja drukowana
Tom9
Zeszyt
Rok wydania2010
Od strony446
Do strony453
Numer publikacji2
Język publikacjiAngielski
Język etniczny badanej kultury
Zasięgmiędzynarodowy
Rok sprawozdawczy2010

Lista autorów
  
 1. Domnika Teklińska, Jednostka zewnetrzna; Institute of Electronic Materials Technology, 133 Wolczynska Street, 01-919 Warsaw, Poland [Współautor]
 2. Kinga Kościewicz, Jednostka zewnetrzna; Institute of Electronic Materials Technology, 133 Wolczynska Street, 01-919 Warsaw, Poland [Współautor]
 3. Kacper Grodecki, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 4. Mateusz Tokarczyk, Zakład Fizyki Ciała Stałego; Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 5. Grzegorz Kowalski, Zakład Struktury Materii Skondensowanej [Współautor]
 6. Andrzej Olszyna, Jednostka zewnetrzna; Warsaw University of Technology, Faculty of Materials Science, [Współautor]
 7. Jacek Baranowski, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]