Epitaxial growth on 4H-SiC on-axis, 0.5°, 1.25°, 2°, 4°, 8° off-axis substrates – defects analysis and reduction

Dane publikacji
  
Typ publikacjiPublikacja w czasopiśmie
Rodzaj publikacjiArtykuł
Tytuł publikacjiEpitaxial growth on 4H-SiC on-axis, 0.5°, 1.25°, 2°, 4°, 8° off-axis substrates – defects analysis and reduction
Adres internetowy
Tytuł czasopismaMATERIALS SCIENCE FORUM
Mediumpublikacja drukowana
Tom679-680
Zeszyt
Rok wydania2011
Od strony95
Do strony98
Numer publikacji
Język publikacjiAngielski
Język etniczny badanej kultury
Zasięgmiędzynarodowy
Rok sprawozdawczy2011

Lista autorów
  
 1. Kinga Kościewicz, Jednostka zewnetrzna; Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych [Współautor]
 2. Włodzimierz Strupiński, Jednostka zewnetrzna; Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych [Współautor]
 3. Dominika Teklińska, Jednostka zewnetrzna; ITME [Współautor]
 4. Krystyna Mazur, Jednostka zewnetrzna; ITME [Współautor]
 5. Mateusz Tokarczyk, Zakład Fizyki Ciała Stałego; Zakład Fizyki Ciała Stałego - doktorant [Współautor]
 6. Grzegorz Kowalski, Zakład Struktury Materii Skondensowanej; Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 7. Andrzej Olszyna, Jednostka zewnetrzna; ITME [Współautor]