Epitaxial growth on 4H-SiC on-axis, 0.5°, 1.25°, 2°, 4°, 8° off-axis substrates – defects analysis and reduction
Dane publikacji
Typ publikacji
Publikacja w czasopiśmie
Rodzaj publikacji
Artykuł
Tytuł publikacji
Epitaxial growth on 4H-SiC on-axis, 0.5°, 1.25°, 2°, 4°, 8° off-axis substrates – defects analysis and reduction
Adres internetowy
Tytuł czasopisma
MATERIALS SCIENCE FORUM
Medium
publikacja drukowana
Tom
679-680
Zeszyt
Rok wydania
2011
Od strony
95
Do strony
98
Numer publikacji
Język publikacji
Angielski
Język etniczny badanej kultury
Zasięg
międzynarodowy
Rok sprawozdawczy
2011
Lista autorów
1.
Kinga Kościewicz,
Jednostka zewnetrzna; Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
[
Współautor
]
2.
Włodzimierz Strupiński,
Jednostka zewnetrzna; Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
[
Współautor
]
3.
Dominika Teklińska,
Jednostka zewnetrzna; ITME
[
Współautor
]
4.
Krystyna Mazur,
Jednostka zewnetrzna; ITME
[
Współautor
]
5.
Mateusz Tokarczyk
,
Zakład Fizyki Ciała Stałego
; Zakład Fizyki Ciała Stałego - doktorant
[
Współautor
]
6.
Grzegorz Kowalski
,
Zakład Struktury Materii Skondensowanej
; Zakład Fizyki Ciała Stałego
[
Współautor
]
7.
Andrzej Olszyna,
Jednostka zewnetrzna; ITME
[
Współautor
]