Simulation of trap-assisted tunneling effect on characteristics of gallium nitride diodes
Dane publikacji
Typ publikacji
Publikacja w czasopi¶mie
Rodzaj publikacji
Artykuł
Tytuł publikacji
Simulation of trap-assisted tunneling effect on characteristics of gallium nitride diodes
Adres internetowy
http://dx.doi.org/10.1063/1.4730772
Tytuł czasopisma
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
Medium
publikacja drukowana
Tom
111
Zeszyt
12
Rok wydania
2012
Od strony
1
Do strony
7
Numer publikacji
123115
Język publikacji
Angielski
Język etniczny badanej kultury
Zasięg
międzynarodowy
Rok sprawozdawczy
2012
Lista autorów
1.
Konrad Sakowski,
Jednostka zewnetrzna
[
Współautor
]
2.
Leszek Marcinkowski
,
Zakład Analizy Numerycznej
[
Współautor
]
3.
Stanisław Krukowski
,
Interdyscyplinarne Centrum Modelowania Matem.i Komput.(ICM)
[
Współautor
]
4.
Szymon Grzanka,
Jednostka zewnetrzna
[
Współautor
]
5.
Elzbieta Litwin-Staszewska,
Jednostka zewnetrzna
[
Współautor
]