Simulation of trap-assisted tunneling effect on characteristics of gallium nitride diodes

Dane publikacji
  
Typ publikacjiPublikacja w czasopi¶mie
Rodzaj publikacjiArtykuł
Tytuł publikacjiSimulation of trap-assisted tunneling effect on characteristics of gallium nitride diodes
Adres internetowyhttp://dx.doi.org/10.1063/1.4730772
Tytuł czasopismaJOURNAL OF APPLIED PHYSICS
Mediumpublikacja drukowana
Tom111
Zeszyt12
Rok wydania2012
Od strony1
Do strony7
Numer publikacji123115
Język publikacjiAngielski
Język etniczny badanej kultury
Zasięgmiędzynarodowy
Rok sprawozdawczy2012

Lista autorów
  
 1. Konrad Sakowski, Jednostka zewnetrzna [Współautor]
 2. Leszek Marcinkowski, Zakład Analizy Numerycznej [Współautor]
 3. Stanisław Krukowski, Interdyscyplinarne Centrum Modelowania Matem.i Komput.(ICM) [Współautor]
 4. Szymon Grzanka, Jednostka zewnetrzna [Współautor]
 5. Elzbieta Litwin-Staszewska, Jednostka zewnetrzna [Współautor]