Role of structure of C-terminated 4H-SiC(0001) surface in growth of graphene layers-transmission electron microscopy and density functional theory studies

Dane publikacji
  
Typ publikacjiPublikacja w czasopi¶mie
Rodzaj publikacjiArtykuł
Tytuł publikacjiRole of structure of C-terminated 4H-SiC(0001) surface in growth of graphene layers-transmission electron microscopy and density functional theory studies
Adres internetowyhttp://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.85.045426
Tytuł czasopismaPHYSICAL REVIEW B
Mediumpublikacja drukowana
Tom85
Zeszyt4
Rok wydania2012
Od strony1
Do strony7
Numer publikacji045426
Język publikacjiAngielski
Język etniczny badanej kultury
Zasięgmiędzynarodowy
Rok sprawozdawczy2012

Lista autorów
  
 1. Jolanta Borysiuk, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 2. Jakub Sołtys, Interdyscyplinarne Centrum Modelowania Matem.i Komput.(ICM) [Współautor]
 3. Rafał Bożek, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 4. Jacek Piechota, Interdyscyplinarne Centrum Modelowania Matem.i Komput.(ICM) [Współautor]
 5. Stanisław Krukowski, Interdyscyplinarne Centrum Modelowania Matem.i Komput.(ICM) [Współautor]
 6. Włodzimierz Strupiński, Jednostka zewnetrzna [Współautor]
 7. Jacek Baranowski, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 8. Roman Stępniewski, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]