Correction of the electric resistivity distribution of Si wafers using selective neutron transmutation doping (SNTD) in MARIA nuclear research reactor

Dane publikacji
  
Typ publikacjiPublikacja w czasopi¶mie
Rodzaj publikacjiArtykuł
Tytuł publikacjiCorrection of the electric resistivity distribution of Si wafers using selective neutron transmutation doping (SNTD) in MARIA nuclear research reactor
Adres internetowy
Tytuł czasopismaNUKLEONIKA
Mediumpublikacja drukowana
Tom57
Zeszyt3
Rok wydania2012
Od strony363
Do strony367
Numer publikacji
Język publikacjiAngielski
Język etniczny badanej kultury
Zasięgmiędzynarodowy
Rok sprawozdawczy2012

Lista autorów
  
 1. Mikołaj Tarchalski, Jednostka zewnetrzna [Współautor]
 2. Andrzej Kordyasz, ¦rodowiskowe Laboratorium Ciężkich Jonów w UW [Współautor]
 3. Krzysztof Pytel, Jednostka zewnetrzna [Współautor]
 4. Michał Dorosz, Jednostka zewnetrzna [Współautor]