Structural investigations of hydrogenated epitaxial graphene grown on 4H-SiC (0001)

Dane publikacji
  
Typ publikacjiPublikacja w czasopi¶mie
Rodzaj publikacjiArtykuł
Tytuł publikacjiStructural investigations of hydrogenated epitaxial graphene grown on 4H-SiC (0001)
Adres internetowyhttp://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/103/24/10.1063/1.4848815
Tytuł czasopismaAPPLIED PHYSICS LETTERS
Mediumpublikacja drukowana
Tom103
Zeszyt24
Rok wydania2013
Od strony1
Do strony5
Numer publikacji241915
Język publikacjiAngielski
Język etniczny badanej kultury
Zasięgmiędzynarodowy
Rok sprawozdawczy2013

Lista autorów
  
 1. Mateusz Tokarczyk, Zakład Fizyki Ciała Stałego; (Jednostka zewnetrzna; (Zakład Fizyki Ciała Stałego) Faculty of Physics, University of Warsaw, Hoża 69, 00-681 Warsaw, Poland) [Współautor]
 2. Grzegorz Kowalski, Zakład Struktury Materii Skondensowanej [Współautor]
 3. M. Możdżonek, Jednostka zewnetrzna; Institute of Electronic Materials Technology, Wolczynska 133, 01-919 Warsaw, Poland [Współautor]
 4. Jolanta Borysiuk, Zakład Fizyki Ciała Stałego; Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Al. Lotnik ow 32/46, Warsaw, Poland [Współautor]
 5. Roman Stępniewski, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 6. W. Strupiński, Jednostka zewnetrzna; Institute of Electronic Materials Technology, Wolczynska 133, 01-919 Warsaw, Poland [Współautor]
 7. P. Ciepielewski, Jednostka zewnetrzna; Institute of Electronic Materials Technology, Wolczynska 133, 01-919 Warsaw, Poland [Współautor]
 8. Jacek Baranowski, Zakład Fizyki Ciała Stałego; Institute of Electronic Materials Technology, Wolczynska 133, 01-919 Warsaw, Poland [Współautor]