Ab Initio Studies of Early Stages of AlN and GaN Growth on 4H-SiC

Dane publikacji
Typ publikacji	Publikacja w czasopi¶mie
Rodzaj publikacji	Artukuł konferencyjny web of science
Tytuł publikacji	Ab Initio Studies of Early Stages of AlN and GaN Growth on 4H-SiC
Adres internetowy	http://scitation.aip.org/content/aip/proceeding/aipcp/10.1063/1.4848282
Tytuł czasopisma	AIP CONFERENCE PROCEEDINGS
Medium	publikacja drukowana
Tom	1566
Zeszyt
Rok wydania	2013
Od strony	55
Do strony	56
Numer publikacji
Język publikacji	Angielski
Język etniczny badanej kultury
Zasięg	międzynarodowy
Rok sprawozdawczy	2013