Structure and Charge Compensation of Heteropolar SiC/GaN Interfaces

Dane publikacji
  
Typ publikacjiPublikacja w czasopi¶mie
Rodzaj publikacjiArtykuł konferencyjny
Tytuł publikacjiStructure and Charge Compensation of Heteropolar SiC/GaN Interfaces
Adres internetowy
Tytuł czasopismaACTA PHYSICA POLONICA A
Mediumpublikacja drukowana
Tom124
Zeszyt
Rok wydania2013
Od strony772
Do strony774
Numer publikacji5
Język publikacjiAngielski
Język etniczny badanej kultury
Zasięgmiędzynarodowy
Rok sprawozdawczy2013

Lista autorów
  
 1. M Sznajder, Jednostka zewnetrzna [Współautor]
 2. Jacek Majewski, Instytut Fizyki Teoretycznej [Współautor]