Structural defects in epitaxial graphene layers synthesized on C-terminated 4H-SiC (000-1) surface - Transmission electron microscopy and density functional theory studies

Dane publikacji
  
Typ publikacjiPublikacja w czasopi¶mie
Rodzaj publikacjiArtykuł
Tytuł publikacjiStructural defects in epitaxial graphene layers synthesized on C-terminated 4H-SiC (000-1) surface - Transmission electron microscopy and density functional theory studies
Adres internetowyhttp://dx.doi.org/10.1063/1.4863644
Tytuł czasopismaJOURNAL OF APPLIED PHYSICS
Mediumpublikacja drukowana
Tom115
Zeszyt5
Rok wydania2014
Od strony1
Do strony8
Numer publikacji054310
Język publikacjiAngielski
Język etniczny badanej kultury
Zasięgmiędzynarodowy
Rok sprawozdawczy2014

Lista autorów
  
 1. Jolanta Borysiuk, Zakład Fizyki Ciała Stałego; Instytut Fizyki PAN [Współautor]
 2. Jakub Sołtys, Interdyscyplinarne Centrum Modelowania Matem.i Komput.(ICM) [Współautor]
 3. Jacek Piechota, Interdyscyplinarne Centrum Modelowania Matem.i Komput.(ICM) [Współautor]
 4. Stanisław Krukowski, Interdyscyplinarne Centrum Modelowania Matem.i Komput.(ICM); Instytut Wysokich Ci¶nień PAN [Współautor]
 5. Jacek Baranowski, Zakład Fizyki Ciała Stałego; Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych [Współautor]
 6. Roman Stępniewski, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]