| Dane publikacji |
|---|
| | |
| Typ publikacji | Publikacja w czasopi¶mie |
| Rodzaj publikacji | Artykuł |
| Tytuł publikacji | Density functional study of GaN(0001)/AIN(0001) high electron mobility transistor structures |
| Adres internetowy | |
| Tytuł czasopisma | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH |
| Medium | publikacja drukowana |
| Tom | 401 |
| Zeszyt | |
| Rok wydania | 2014 |
| Od strony | 30 |
| Do strony | 32 |
| Numer publikacji | |
| Język publikacji | Angielski |
| Język etniczny badanej kultury | |
| Zasięg | międzynarodowy |
| Rok sprawozdawczy | 2014 |