Growth by molecular beam epitaxy and properties of inclined GaN nanowires on Si(001) substrate
Dane publikacji
Typ publikacji
Publikacja w czasopi¶mie
Rodzaj publikacji
Artykuł
Tytuł publikacji
Growth by molecular beam epitaxy and properties of inclined GaN nanowires on Si(001) substrate
Adres internetowy
http://iopscience.iop.org/0957-4484/25/13/135610/
Tytuł czasopisma
NANOTECHNOLOGY
Medium
publikacja drukowana
Tom
25
Zeszyt
Rok wydania
2014
Od strony
1
Do strony
8
Numer publikacji
135610
Język publikacji
Angielski
Język etniczny badanej kultury
Zasięg
międzynarodowy
Rok sprawozdawczy
2014
Lista autorów
1.
Jolanta Borysiuk
,
Zakład Fizyki Ciała Stałego
[
Współautor
]
2.
Zbigniew Żytkiewicz,
Jednostka zewnetrzna; IF PAN
[
Współautor
]
3.
Marta Sobańska,
Jednostka zewnetrzna; IF PAN
[
Współautor
]
4.
Anna Wierzbicka,
Jednostka zewnetrzna; IF PAN
[
Współautor
]
5.
K Kłosek,
Jednostka zewnetrzna; IF PAN
[
Współautor
]
6.
Krzysztof Korona
,
Zakład Fizyki Ciała Stałego
[
Współautor
]
7.
Paulina Perkowska
,
Zakład Fizyki Ciała Stałego
[
Współautor
]
8.
Anna Reszka,
Jednostka zewnetrzna
[
Współautor
]