Growth by molecular beam epitaxy and properties of inclined GaN nanowires on Si(001) substrate

Dane publikacji
  
Typ publikacjiPublikacja w czasopi¶mie
Rodzaj publikacjiArtykuł
Tytuł publikacjiGrowth by molecular beam epitaxy and properties of inclined GaN nanowires on Si(001) substrate
Adres internetowyhttp://iopscience.iop.org/0957-4484/25/13/135610/
Tytuł czasopismaNANOTECHNOLOGY
Mediumpublikacja drukowana
Tom25
Zeszyt
Rok wydania2014
Od strony1
Do strony8
Numer publikacji135610
Język publikacjiAngielski
Język etniczny badanej kultury
Zasięgmiędzynarodowy
Rok sprawozdawczy2014

Lista autorów
  
 1. Jolanta Borysiuk, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 2. Zbigniew Żytkiewicz, Jednostka zewnetrzna; IF PAN [Współautor]
 3. Marta Sobańska, Jednostka zewnetrzna; IF PAN [Współautor]
 4. Anna Wierzbicka, Jednostka zewnetrzna; IF PAN [Współautor]
 5. K Kłosek, Jednostka zewnetrzna; IF PAN [Współautor]
 6. Krzysztof Korona, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 7. Paulina Perkowska, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 8. Anna Reszka, Jednostka zewnetrzna [Współautor]