Effect of C-face 4H-SiC(0001) deposition on thermopower of single and multilayer graphene in AA, AB and ABC stacking

Dane publikacji
  
Typ publikacjiPublikacja w czasopi¶mie
Rodzaj publikacjiArtykuł
Tytuł publikacjiEffect of C-face 4H-SiC(0001) deposition on thermopower of single and multilayer graphene in AA, AB and ABC stacking
Adres internetowyhttp://iopscience.iop.org/2053-1583/1/3/035002/
Tytuł czasopismaMATERIALS
Mediumpublikacja drukowana
Tom1
Zeszyt
Rok wydania2014
Od strony1
Do strony11
Numer publikacji035002
Język publikacjiAngielski
Język etniczny badanej kultury
Zasięgmiędzynarodowy
Rok sprawozdawczy2014

Lista autorów
  
 1. Małgorzata Wierzbowska, Instytut Fizyki Teoretycznej [Współautor]
 2. Adam Dominiak, Jednostka zewnetrzna; Institute of Heat Engineering, Faculty of Power and Aeronautical Engineering, Warsaw University of Technology, ul. Nowowiejska 21/25, 00-665 Warszawa, Poland [Współautor]
 3. Giovanni Pizzi, Jednostka zewnetrzna; Theory and Simulation of Materials, École Polytechnique Fédérale de Lausanne, 1015 Lausanne, Switzerland [Współautor]