Effect of C-face 4H-SiC(0001) deposition on thermopower of single and multilayer graphene in AA, AB and ABC stacking
Dane publikacji
Typ publikacji
Publikacja w czasopi¶mie
Rodzaj publikacji
Artykuł
Tytuł publikacji
Effect of C-face 4H-SiC(0001) deposition on thermopower of single and multilayer graphene in AA, AB and ABC stacking
Adres internetowy
http://iopscience.iop.org/2053-1583/1/3/035002/
Tytuł czasopisma
MATERIALS
Medium
publikacja drukowana
Tom
1
Zeszyt
Rok wydania
2014
Od strony
1
Do strony
11
Numer publikacji
035002
Język publikacji
Angielski
Język etniczny badanej kultury
Zasięg
międzynarodowy
Rok sprawozdawczy
2014
Lista autorów
1.
Małgorzata Wierzbowska
,
Instytut Fizyki Teoretycznej
[
Współautor
]
2.
Adam Dominiak,
Jednostka zewnetrzna; Institute of Heat Engineering, Faculty of Power and Aeronautical Engineering, Warsaw University of Technology, ul. Nowowiejska 21/25, 00-665 Warszawa, Poland
[
Współautor
]
3.
Giovanni Pizzi,
Jednostka zewnetrzna; Theory and Simulation of Materials, École Polytechnique Fédérale de Lausanne, 1015 Lausanne, Switzerland
[
Współautor
]