Determination of Si delta-doping Concentration in GaN by Electroreflectance

Dane publikacji
  
Typ publikacjiPublikacja w czasopiśmie
Rodzaj publikacjiArtykuł
Tytuł publikacjiDetermination of Si delta-doping Concentration in GaN by Electroreflectance
Adres internetowy
Tytuł czasopismaPHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS
Medium
Tom234
Zeszyt
Rok wydania2002
Od strony868
Do strony871
Numer publikacji
Język publikacjiAngielski
Język etniczny badanej kultury
Zasięgmiędzynarodowy
Rok sprawozdawczy2002

Lista autorów
  
 1. Aneta Drabińska, Instytut Fizyki Doświadczalnej [Współautor]
 2. Krzysztof Korona, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 3. Rafał Bożek, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 4. Adam Babiński, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 5. Jacek Baranowski, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 6. W. Pacuski, Jednostka zewnetrzna [Współautor]
 7. Roman Stępniewski, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 8. Tomasz Tomaszewicz, Jednostka zewnetrzna [Współautor]