Resonant tunneling through single donor states in GaAs AlAs GaAs devices

Dane publikacji
  
Typ publikacjiPublikacja w czasopi¶mie
Rodzaj publikacjiArtykuł
Tytuł publikacjiResonant tunneling through single donor states in GaAs AlAs GaAs devices
Adres internetowy
Tytuł czasopismaPHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES
Medium
Tom17
Zeszyt
Rok wydania2003
Od strony303
Do strony304
Numer publikacji
Język publikacjiAngielski
Język etniczny badanej kultury
Zasięgmiędzynarodowy
Rok sprawozdawczy2003

Lista autorów
  
 1. Marta Borysiewicz, Studia dzienne - doktoranckie Wydziału Fizyki [Współautor]
 2. Michał Baj, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 3. Benoit Jouault, Jednostka zewnetrzna [Współautor]
 4. Giancarlo Faini, Jednostka zewnetrzna [Współautor]
 5. Antonella Cavanna, Jednostka zewnetrzna [Współautor]