Resonant tunneling through single donor states in GaAs AlAs GaAs devices
Dane publikacji
Typ publikacji
Publikacja w czasopi¶mie
Rodzaj publikacji
Artykuł
Tytuł publikacji
Resonant tunneling through single donor states in GaAs AlAs GaAs devices
Adres internetowy
Tytuł czasopisma
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES
Medium
Tom
17
Zeszyt
Rok wydania
2003
Od strony
303
Do strony
304
Numer publikacji
Język publikacji
Angielski
Język etniczny badanej kultury
Zasięg
międzynarodowy
Rok sprawozdawczy
2003
Lista autorów
1.
Marta Borysiewicz
,
Studia dzienne - doktoranckie Wydziału Fizyki
[
Współautor
]
2.
Michał Baj
,
Zakład Fizyki Ciała Stałego
[
Współautor
]
3.
Benoit Jouault,
Jednostka zewnetrzna
[
Współautor
]
4.
Giancarlo Faini,
Jednostka zewnetrzna
[
Współautor
]
5.
Antonella Cavanna,
Jednostka zewnetrzna
[
Współautor
]