Polarity dependent properties of GaN layers grown by hydride vapor phase epitaxy on GaN bulk crystals

Dane publikacji
  
Typ publikacjiPublikacja w czasopi¶mie
Rodzaj publikacjiArtykuł
Tytuł publikacjiPolarity dependent properties of GaN layers grown by hydride vapor phase epitaxy on GaN bulk crystals
Adres internetowy
Tytuł czasopismaPHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS
Medium
Tom240
Zeszyt
Rok wydania2003
Od strony289
Do strony292
Numer publikacji
Język publikacjiAngielski
Język etniczny badanej kultury
Zasięgmiędzynarodowy
Rok sprawozdawczy2003

Lista autorów
  
 1. F Tuomisto, Jednostka zewnetrzna [Współautor]
 2. Tadeusz Suski, Jednostka zewnetrzna [Współautor]
 3. H Teisseyre, Jednostka zewnetrzna [Współautor]
 4. M Kry¶ko, Jednostka zewnetrzna [Współautor]
 5. M Leszczyński, Jednostka zewnetrzna [Współautor]
 6. B Łucznik, Jednostka zewnetrzna [Współautor]
 7. I Grzegory, Jednostka zewnetrzna [Współautor]
 8. Sylwester Porowski, Jednostka zewnetrzna [Współautor]
 9. Dariusz Wasik, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 10. Andrzej Witowski, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 11. Wojciech Gębicki, Jednostka zewnetrzna [Współautor]
 12. P Hageman, Jednostka zewnetrzna [Współautor]
 13. K Saarinen, Jednostka zewnetrzna [Współautor]