Cathodoluminescence and depth-profiling cathodoluminescence studies of interface properties in MOCVD-grown InGaN / GaN / sapphire structures: role of GaN buffer layer
Dane publikacji
Typ publikacji
Publikacja w czasopi¶mie
Rodzaj publikacji
Artykuł
Tytuł publikacji
Cathodoluminescence and depth-profiling cathodoluminescence studies of interface properties in MOCVD-grown InGaN / GaN / sapphire structures: role of GaN buffer layer
Adres internetowy
Tytuł czasopisma
APPLIED SURFACE SCIENCE
Medium
Tom
177
Zeszyt
Rok wydania
2001
Od strony
22
Do strony
31
Numer publikacji
Język publikacji
Angielski
Język etniczny badanej kultury
Zasięg
międzynarodowy
Rok sprawozdawczy
2001
Lista autorów
1.
M Godlewski,
Jednostka zewnetrzna
[
Współautor
]
2.
E Gołdys,
Jednostka zewnetrzna
[
Współautor
]
3.
M Phillips,
Jednostka zewnetrzna
[
Współautor
]
4.
Krzysztof Pakuła
,
Zakład Fizyki Ciała Stałego
[
Współautor
]
5.
Jacek Baranowski
,
Zakład Fizyki Ciała Stałego
[
Współautor
]