Cathodoluminescence and depth-profiling cathodoluminescence studies of interface properties in MOCVD-grown InGaN / GaN / sapphire structures: role of GaN buffer layer

Dane publikacji
  
Typ publikacjiPublikacja w czasopi¶mie
Rodzaj publikacjiArtykuł
Tytuł publikacjiCathodoluminescence and depth-profiling cathodoluminescence studies of interface properties in MOCVD-grown InGaN / GaN / sapphire structures: role of GaN buffer layer
Adres internetowy
Tytuł czasopismaAPPLIED SURFACE SCIENCE
Medium
Tom177
Zeszyt
Rok wydania2001
Od strony22
Do strony31
Numer publikacji
Język publikacjiAngielski
Język etniczny badanej kultury
Zasięgmiędzynarodowy
Rok sprawozdawczy2001

Lista autorów
  
 1. M Godlewski, Jednostka zewnetrzna [Współautor]
 2. E Gołdys, Jednostka zewnetrzna [Współautor]
 3. M Phillips, Jednostka zewnetrzna [Współautor]
 4. Krzysztof Pakuła, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 5. Jacek Baranowski, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]