Influence of dopants and substrate material on the formation of Ga vacancies in epitaxial GaN layers

Dane publikacji
  
Typ publikacjiPublikacja w czasopi¶mie
Rodzaj publikacjiArtykuł
Tytuł publikacjiInfluence of dopants and substrate material on the formation of Ga vacancies in epitaxial GaN layers
Adres internetowy
Tytuł czasopismaPHYSICAL REVIEW B
Medium
Tom63
Zeszyt4
Rok wydania2001
Od strony1
Do strony8
Numer publikacji045205
Język publikacjiAngielski
Język etniczny badanej kultury
Zasięgmiędzynarodowy
Rok sprawozdawczy2001

Lista autorów
  
 1. J Oila, Jednostka zewnetrzna [Współautor]
 2. V Ranki, Jednostka zewnetrzna [Współautor]
 3. J Kivioja, Jednostka zewnetrzna [Współautor]
 4. K Saarinen, Jednostka zewnetrzna [Współautor]
 5. P Hautojarvi, Jednostka zewnetrzna [Współautor]
 6. J Likonen, Jednostka zewnetrzna [Współautor]
 7. Jacek Baranowski, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 8. Krzysztof Pakuła, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 9. T Suski, Jednostka zewnetrzna [Współautor]
 10. M Leszczyński, Jednostka zewnetrzna [Współautor]
 11. I Grzegory, Jednostka zewnetrzna [Współautor]