The fundamental absorption edge of high crystalline quality GaN and that of amorphous GaN grown at low temperature

Dane publikacji
  
Typ publikacjiPublikacja w czasopi¶mie
Rodzaj publikacjiArtykuł konferencyjny
Tytuł publikacjiThe fundamental absorption edge of high crystalline quality GaN and that of amorphous GaN grown at low temperature
Adres internetowyhttp://www.pss-c.com
Tytuł czasopismaPHYSICA STATUS SOLIDI C-CONFERENCES
Mediumpublikacja drukowana
Tom2
Zeszyt3
Rok wydania2005
Od strony1027
Do strony1030
Numer publikacji
Język publikacjiAngielski
Język etniczny badanej kultury
Zasięgmiędzynarodowy
Rok sprawozdawczy2005

Lista autorów
  
 1. Jacek Baranowski, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 2. Krzysztof Pakuła, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 3. Paweł Trautman, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]