| Dane publikacji |
|---|
| | |
| Typ publikacji | Publikacja w książce |
| Rodzaj publikacji | Artykuł konferencyjny |
| Tytuł publikacji | On the Built-in Spontaneous Electric Field in MOVPE Grown GaN Crystals On Sappire |
| Adres internetowy | |
| Tytuł książki | Proc.Conf. Physics of Semiconductors ICPS-27: 27th Intern. Conf. Phys. Semicond., Flagstaff, Arizona 16-30 July 2004 |
| Tom | 772 |
| Od strony | 257 |
| Do strony | 258 |
| Liczba arkuszy | |
| Liczba stron | |
| Oznaczenie wydania | |
| Miejsce wydania | Melville, New York |
| Nazwa wydawcy | AIP (American Institute of Physics) Publishing |
| Rok wydania | 2005 |
| Tytuł serii | |
| Numer w serii | |
| Numer publikacji | |
| Język publikacji | Angielski |
| Język etniczny badanej kultury | |
| Zasięg | międzynarodowy |
| Rok sprawozdawczy | 2005 |