Photoluminescence study and structural characterization of p-type ZnO doped by N and/or As acceptors

Dane publikacji
  
Typ publikacjiPublikacja w czasopiśmie
Rodzaj publikacjiArtykuł
Tytuł publikacjiPhotoluminescence study and structural characterization of p-type ZnO doped by N and/or As acceptors
Adres internetowyhttp://www.iop.org/EJ/abstract/0268-1242/22/2/002/
Tytuł czasopismaSEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
Mediumpublikacja drukowana
Tom22
Zeszyt
Rok wydania2007
Od strony10
Do strony14
Numer publikacji
Język publikacjiAngielski
Język etniczny badanej kultury
Zasięgmiędzynarodowy
Rok sprawozdawczy2007

Lista autorów
  
 1. E Przeździecka, Jednostka zewnetrzna; Institute of Physics, Polish Academy of Sciences [Współautor]
 2. E Kamińska, Jednostka zewnetrzna; Institute of Electron Technologi [Współautor]
 3. Krzysztof Korona, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 4. E Dynowska, Jednostka zewnetrzna; Institute of Physics, Polish Academy of Sciences [Współautor]
 5. W Dobrowolski, Jednostka zewnetrzna; Institute of Physics, Polish Academy of Sciences [Współautor]
 6. R Jakiela, Jednostka zewnetrzna; Institute of Physics, Polish Academy of Sciences [Współautor]
 7. L Klopotowski, Jednostka zewnetrzna; Institute of Physics, Polish Academy of Sciences [Współautor]
 8. J Kossut, Jednostka zewnetrzna; Institute of Physics, Polish Academy of Sciences and ERATO Semiconductors Spintronics Project [Współautor]