Growth of Graphene Layers on Silicon Carbide

Dane publikacji
  
Typ publikacjiPublikacja w czasopiśmie
Rodzaj publikacjiArtykuł
Tytuł publikacjiGrowth of Graphene Layers on Silicon Carbide
Adres internetowyhttp://www.scientific.net/0-87849-334-4/199/
Tytuł czasopismaMATERIALS SCIENCE FORUM
Mediumpublikacja drukowana
Tom615-617
Zeszyt
Rok wydania2009
Od strony199
Do strony202
Numer publikacji
Język publikacjiAngielski
Język etniczny badanej kultury
Zasięgmiędzynarodowy
Rok sprawozdawczy2009

Lista autorów
  
 1. W. Strupiński, Jednostka zewnetrzna; Institute of Electronic Materials Technology, Warsaw [Współautor]
 2. Rafał Bożek, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 3. Jolanta Borysiuk, Jednostka zewnetrzna; Institute of Electronic Materials Technology, Warsaw [Współautor]
 4. K. Kościewicz, Jednostka zewnetrzna; Institute of Electronic Materials Technology, Warsaw [Współautor]
 5. Andrzej Wysmołek, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 6. Roman Stępniewski, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 7. Jacek Baranowski, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]