Growth of 6H-SiC Single Crystals under Quasi-Equilibrium Conditions

Dane publikacji
  
Typ publikacjiPublikacja w czasopi¶mie
Rodzaj publikacjiArtykuł
Tytuł publikacjiGrowth of 6H-SiC Single Crystals under Quasi-Equilibrium Conditions
Adres internetowy
Tytuł czasopismaMATERIALS SCIENCE FORUM
Mediumpublikacja drukowana
Tom600-603
Zeszyt
Rok wydania2009
Od strony15
Do strony18
Numer publikacji
Język publikacjiAngielski
Język etniczny badanej kultury
Zasięgmiędzynarodowy
Rok sprawozdawczy2009

Lista autorów
  
 1. Emil Tymicki, Jednostka zewnetrzna; Institute of Electronic Materials Technology, Warsaw [Współautor]
 2. Krzysztof Grasza, Jednostka zewnetrzna; Institute of Electronic Materials Technology, Warsaw; IInstitute of Physics, Polish Academy of Sciences, Warsaw [Współautor]
 3. Władysław Hofman, Jednostka zewnetrzna; Institute of Electronic Materials Technology, Warsaw [Współautor]
 4. Ryszard Diduszko, Jednostka zewnetrzna; Institute of Electronic Materials Technology, Warsaw [Współautor]
 5. Rafał Bożek, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]