Growth of 4H-SiC Single Crystals on 6H-SiC Seeds with an Open Backside by PVT Method

Dane publikacji
  
Typ publikacjiPublikacja w czasopiśmie
Rodzaj publikacjiArtykuł
Tytuł publikacjiGrowth of 4H-SiC Single Crystals on 6H-SiC Seeds with an Open Backside by PVT Method
Adres internetowy
Tytuł czasopismaMATERIALS SCIENCE FORUM
Mediumpublikacja drukowana
Tom615-617
Zeszyt
Rok wydania2009
Od strony15
Do strony18
Numer publikacji
Język publikacjiAngielski
Język etniczny badanej kultury
Zasięgmiędzynarodowy
Rok sprawozdawczy2009

Lista autorów
  
 1. Emil Tymicki, Jednostka zewnetrzna; Institute of Electronic Materials Technology, Warsaw [Współautor]
 2. K. Grasza, Jednostka zewnetrzna; Institute of Electronic Materials Technology, Warsaw; IInstitute of Physics, Polish Academy of Sciences, Warsaw [Współautor]
 3. K. Racka-Dzietko, Jednostka zewnetrzna; Institute of Electronic Materials Technology, Warsaw [Współautor]
 4. M. Raczkiewicz, Jednostka zewnetrzna; Institute of Electronic Materials Technology, Warsaw [Współautor]
 5. T. Łukasiewicz, Jednostka zewnetrzna; Institute of Electronic Materials Technology, Warsaw [Współautor]
 6. M. Gała, Jednostka zewnetrzna; Institute of Electronic Materials Technology, Warsaw [Współautor]
 7. K. Kościewicz, Jednostka zewnetrzna; Institute of Electronic Materials Technology, Warsaw; Faculty of Materials Science and Engineering, Warsaw University of Technology [Współautor]
 8. R. Diduszko, Jednostka zewnetrzna; Institute of Electronic Materials Technology, Warsaw [Współautor]
 9. Rafał Bożek, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]