Spin filtering through a single impurity in a GaAs/A1As/GaAs resonant tunneling device

Dane publikacji
  
Typ publikacjiPublikacja w czasopiśmie
Rodzaj publikacjiArtykuł
Tytuł publikacjiSpin filtering through a single impurity in a GaAs/A1As/GaAs resonant tunneling device
Adres internetowy
Tytuł czasopismaPHYSICAL REVIEW B
Mediumpublikacja drukowana
Tom79
Zeszyt
Rok wydania2009
Od strony1
Do strony4
Numer publikacji041307
Język publikacjiAngielski
Język etniczny badanej kultury
Zasięgmiędzynarodowy
Rok sprawozdawczy2009

Lista autorów
  
 1. B. Jouault, Jednostka zewnetrzna; Groupe d’Étude des Semiconducteurs, Université Montpellier 2, cc074, place Eugène Bataillon, 34095 Montpellier Cedex 5, France,UMR 5650, CNRS, cc074, place Eugène Bataillon, 34095 Montpellier cedex 5, France [Współautor]
 2. Marta Borysiewicz, Instytut Fizyki Doświadczalnej [Współautor]
 3. Michał Baj, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 4. A. Cavanna, Jednostka zewnetrzna; PhyNano Team, Laboratoire de Photonique et de Nanostructures, CNRS, Route de Nozay, F91460 Marcoussis, France [Współautor]
 5. U. Gennser, Jednostka zewnetrzna; PhyNano Team, Laboratoire de Photonique et de Nanostructures, CNRS, Route de Nozay, F91460 Marcoussis, France [Współautor]
 6. G. Faini, Jednostka zewnetrzna; PhyNano Team, Laboratoire de Photonique et de Nanostructures, CNRS, Route de Nozay, F91460 Marcoussis, France [Współautor]
 7. D. Maude, Jednostka zewnetrzna; GHMFL-CNRS, 25 Avenue des Martyrs, 38042 Grenoble, France [Współautor]