Growth kinetics of epitaxial graphene on SiC substrates

Dane publikacji
  
Typ publikacjiPublikacja w czasopiśmie
Rodzaj publikacjiArtykuł
Tytuł publikacjiGrowth kinetics of epitaxial graphene on SiC substrates
Adres internetowyhttp://prb.aps.org/abstract/PRB/v81/i24/e245410
Tytuł czasopismaPHYSICAL REVIEW B
Mediumpublikacja drukowana
Tom81
Zeszyt24
Rok wydania2010
Od strony245410
Do strony245413
Numer publikacji
Język publikacjiAngielski
Język etniczny badanej kultury
Zasięgmiędzynarodowy
Rok sprawozdawczy2010

Lista autorów
  
 1. Aneta Drabińska, Instytut Fizyki Doświadczalnej [Współautor]
 2. Kacper Grodecki, Zakład Fizyki Ciała Stałego; Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych [Współautor]
 3. Włodzimierz Strupiński, Jednostka zewnetrzna; Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych [Współautor]
 4. Rafał Bożek, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 5. Krzysztof Korona, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 6. Andrzej Wysmołek, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 7. Roman Stępniewski, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 8. Jacek Baranowski, Zakład Fizyki Ciała Stałego; Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych [Współautor]