A comparative DFT study of electronic properties of 2H-, 4H- and 6H-SiC(0001) and SiC(0001) clean surfaces: significance of the suface Stark effect

Dane publikacji
  
Typ publikacjiPublikacja w czasopi¶mie
Rodzaj publikacjiArtykuł
Tytuł publikacjiA comparative DFT study of electronic properties of 2H-, 4H- and 6H-SiC(0001) and SiC(0001) clean surfaces: significance of the suface Stark effect
Adres internetowyhttp://iopscience.iop.org/1367-2630/12/4/043024
Tytuł czasopismaNEW JOURNAL OF PHYSICS
Mediumpublikacja drukowana
Tom12
Zeszyt
Rok wydania2010
Od strony1
Do strony18
Numer publikacji043024
Język publikacjiAngielski
Język etniczny badanej kultury
Zasięgmiędzynarodowy
Rok sprawozdawczy2010

Lista autorów
  
 1. Jakub Sołtys, Interdyscyplinarne Centrum Modelowania Matem.i Komput.(ICM) [Współautor]
 2. Jacek Piechota, Interdyscyplinarne Centrum Modelowania Matem.i Komput.(ICM) [Współautor]
 3. Michał Łopuszyński, Interdyscyplinarne Centrum Modelowania Matem.i Komput.(ICM) [Współautor]
 4. Stanisław Krukowski, Interdyscyplinarne Centrum Modelowania Matem.i Komput.(ICM) [Współautor]