| ||
| 1. | X-ray diffuse-scattering study of defects in α-sapphire
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE Tom 203 Nr 15 r. 2006, str. 3633-3639 (Artykuł) Jerzy Gronkowski, Janusz Borowski, Elżbieta Rohozińska, Małgorzata Kowalska, Krzysztof Pakuła | |
| 2. | Potential and Carrier Distribution in AlGaN Superlattice
[ LINK ]
ACTA PHYSICA POLONICA A Tom 108 Nr 4 r. 2005, str. 723-729 (Artykuł konferencyjny) Krzysztof Korona, Krzysztof Pakuła, Rafał Bożek, Aneta Drabińska, Katarzyna Surowiecka, Roman Stępniewski, Elżbieta Rohozińska, Jacek Baranowski | |
| 3. | High resolution X-ray diffraction study of the Si doping influence on columnar crystal growth of GaN layers
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS Tom 362 r. 2004, str. 287-292 (Artykuł konferencyjny) V. Harutyunyan, Elżbieta Rohozińska, Małgorzata Regulska | |
| 4. | Triple axis diffractometric investigations of the microstructure of thin AlxGa1-xN epitaxial films
CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY Tom 38 Nr 11 r. 2003, str. 951-955 (Artykuł) Elżbieta Rohozińska, Malgorzata Kowalska, Krzysztof Pakuła | |
| 5. | High resolution X-ray diffraction defect structure characterization in Si-doped and undoped GaN films
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY Tom 91-92 r. 2002, str. 441-444 (Artykuł konferencyjny) Elżbieta Rohozińska, Małgorzata Kowalska, Valeri Harutyunyan, Krzysztof Pakuła, Janusz Borowski | |
| 6. | Strain relaxation in Ga1-xInxN thin layers grown on GaN sublayers
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS Tom 328 r. 2001, str. 199-205 (Artykuł konferencyjny) Elżbieta Rohozińska, Jerzy Gronkowski, Krzysztof Pakuła, Małgorzata Majer, Małgorzata Kowalska | |
| 7. | X-ray Diffraction Study of Composition Inhomogeneities in Ga1-xInxN Thin Layers
CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY Tom 36 Nr 8-10 r. 2001, str. 903-910 (Artykuł konferencyjny) Elżbieta Rohozińska, Jerzy Gronkowski, Małgorzata Kowalska, Małgorzata Majer, Krzysztof Pakuła | |
| 8. | Local order of Te impurity atoms and free electron concentration in heavily doped GaAs:Te
THIN SOLID FILMS Tom 367 r. 2000, str. 227-231 (Artykuł) Elżbieta Rohozińska, Tomasz Słupiński | |
| 9. | High-resolution characterization of microdefects by X-ray diffuse scattering
PHILOSOPHICAL TRANSACTIONS OF THE ROYAL SOCIETY A-MATHEMATICAL PHYSICAL AND ENGINEERING SCIENCES Tom 357 r. 1999, str. 2721-2729 (Artykuł) Jerzy Gronkowski, Janusz Borowski, Elżbieta Rohozińska | |
| 10. | X-ray diffuse scattering characterisation of microdefects in highly Te-doped annealed GaAs crystals
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS Tom 31 r. 1998, str. 1883-1886 (Artykuł) Janusz Borowski, Jerzy Gronkowski, Elżbieta Rohozińska, Tomasz Słupiński | |
| 11. | X-ray diffuse scattering characterization of microdefects in highly Te-doped annealed GaAs crystals
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS Tom 31 r. 1998, str. 1883-1887 (Artykuł) Janusz Borowski, Jerzy Gronkowski, Elżbieta Rohozińska, Tomasz Słupiński | |
| 12. | First X-ray evidence of heterogeneous impurity correlations in a very highly doped GaAs:Te
ACTA PHYSICA POLONICA A Tom 92 r. 1997, str. 971-974 (Artykuł) Tomasz Słupiński, Elżbieta Rohozińska | |
| 13. | Te shallow donor solubility mechanism in GaAs
ACTA PHYSICA POLONICA A Tom 90 r. 1996, str. 1080-1084 (Artykuł) Tomasz Słupiński, Elżbieta Rohozińska, T. Harasimowicz | |
| ||
| 14. | X-ray diffuse scattering study of defects in α-sapphire
w: E-MRS 2005 Fall Meeting, Warsaw, 5–9 September 2005, str. 135-135, r. 2005 (Komunikat) Jerzy Gronkowski, Elżbieta Rohozińska, Janusz Borowski | |
| 15. | X-Ray Diffuse Scattering from Statistically Distributed Defects
w: Intern. Conf. on Experimental and Computing Methods in High Resolution Diffraction Applied for Structure Characterization of Modern Materials HREDAMM, str. 20-20, Institute of Physics, Polish Academy of Science, r. 2004 (Komunikat) Jerzy Gronkowski, Elżbieta Rohozińska, Janusz Borowski | |
| 16. | Badania kryształów GaAs metodami wysokorozdzielczej dyfrakcji promieni X
w: Wzrost i Charakteryzacja Kryształów, str. 50-56, Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, r. 2000 (Artykuł konferencyjny) Elżbieta Rohozińska, Jerzy Gronkowski, Tomasz Słupiński, Małgorzata Kowalska | |
| 17. | Local order of Te impurity atoms in heavily doped GaAs:Te and accompanying electron localization effect
w: Self-Organized Processes in Semiconductor Alloys, str. 261-266, Materials Research Society, r. 2000 (Artykuł konferencyjny) Elżbieta Rohozińska, Tomasz Słupiński | |
| 18. | Shallow Donor Solubility Mechanism: Tellurium in GaAs
w: Shallow-Level Centers in Semiconductors - Proc. 7th Int. Conf., Amsterdam, 1996 , str. 369-374, World Scientific Publ.,, r. 1997 (Artykuł konferencyjny) Tomasz Słupiński, Elżbieta Rohozińska, T. Harasimowicz | |