| ||
| 1. | Reduction of dislocation density in heteroepitaxial GaA; role of SiH(4) treatment
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH Tom 267 r. 2004, str. 1-7 (Artykuł) Krzysztof Pakuła, Rafał Bożek, Jacek Baranowski, Jacek Jasiński, Z Liliental-Weber | |
| 2. | Bonding with atomic rearrangement - new possibilities in material and devices technology
OPTICA APPLICATA Tom 32 Nr 3 r. 2002, str. 355-364 (Artykuł) Andrzej Hruban, S Strzelecka, E Wegner, M Pawlowska, A Gladki, Roman Stępniewski, Jacek Jasiński, Rafał Bożek | |
| 3. | Correlations between spatially resolved Raman shifts and dislocation density in GaN films
APPLIED PHYSICS LETTERS Tom 80 Nr 8 r. 2002, str. 1355-1357 (Artykuł) G Nootz, A Schulte, L Chernyak, A Osinsky, Jacek Jasiński, M Benamara, Z Liliental-Weber | |
| 4. | Donor and acceptor concentrations in degenerate InN
APPLIED PHYSICS LETTERS Tom 80 Nr 2 r. 2002, str. 258-260 (Artykuł) D Look, H Lu, W Schaff, Jacek Jasiński, Z Liliental-Weber | |
| 5. | Extended Defects and Polarity of Hydride Vapor Phase Epitaxy GaN
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS Tom 31 Nr 5 r. 2002, str. 429-432 (Artykuł) Jacek Jasiński, Z Liliental-Weber | |
| 6. | Characterization of free-standing hydride vapor phase epitaxy GaN
APPLIED PHYSICS LETTERS Tom 78 Nr 16 r. 2001, str. 2297-2299 (Artykuł) Jacek Jasiński, W Swider, Z Liliental-Weber, P Visconti, K Jones, M Reshchikov, F Yun, H Morkoc, S Park, K Lee | |
| 7. | Effect of hydrostatic pressure on degradation of CdTe/CdMgTe heterostructures grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrate
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Tom 89 Nr 9 r. 2001, str. 5025-5030 (Artykuł) Dariusz Wasik, Michał Baj, Joanna Siwiec-Matuszyk, Jerzy Gronkowski, Jacek Jasiński, Grzegorz Karczewski | |
| 8. | Formation of ohmic contacts to MOCVD grown p-GaN by controlled activation of Mg
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY Tom 82 r. 2001, str. 265-267 (Artykuł) E Kamińska, A Piotrowska, A Barcz, D Bour, M Zieliński, Jacek Jasiński | |
| 9. | Influence of microstructure on electrical properties of diluted GaNxAs1-x formed by nitrogen implantation
APPLIED PHYSICS LETTERS Tom 79 Nr 7 r. 2001, str. 931-933 (Artykuł) Jacek Jasiński, K Yu, W Walukiewicz, J Washburn, Z Liliental-Weber | |
| 10. | Rapid thermal annealing of InAs/GaAs quantum dots under GaAs proximity-cap
[ LINK ]
APPLIED PHYSICS LETTERS Tom 79 Nr 16 r. 2001, str. 2576-2578 (Artykuł) Adam Babiński, Jacek Jasiński, Rafał Bożek, Agnieszka Szepielow, Jacek Baranowski | |
| 11. | Hydrostatic-pressure-induced degradation of MBE CdTe/CdMgTe heterostructures grown on GaAs substrate
HIGH PRESSURE RESEARCH Tom 18 r. 2000, str. 95-100 (Artykuł konferencyjny) Dariusz Wasik, Jacek Mikucki, Joanna Siwiec-Matuszyk, Michał Baj, Jerzy Gronkowski, Jacek Jasiński, Grzegorz Karczewski | |
| ||
| 12. | Effects of Annealing on Self-Assembled InAs Quantum Dots and Wetting Layer in GaAs Matrix
w: Semiconductor Quantum Dots II - 2000, str. 3.391-3.396, Materials Research Society, r. 2001 (Artykuł konferencyjny) Jacek Jasiński, Adam Babiński, M Czeczott, Rafał Bożek | |
| 13. | Post-growth thermal treatment of InAs/GaAs quantum dots
w: 2000 International Semiconducting and Insulating Materials Conference. SIMC-XI, str. 272-275, IEEE, r. 2000 (Artykuł konferencyjny) Jacek Jasiński, Adam Babiński, Rafał Bożek, Jacek Baranowski | |