| ||
| 1. | Electoreflectance and photoreflectance studies of AlGaN/GaN heterostructure with a QW placed inside AlGaN layer
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE Tom 202 Nr 7 r. 2005, str. 1308-1312 (Artykuł) Aneta Drabińska, Krzysztof Pakuła, Jacek Baranowski, Ilona Frymark | |
| 2. | Mn impurity lattice location in the ferromagnetic zincblende gallium manganese arsenide layer structure
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS Tom 38 Nr 10A r. 2005, str. 160-163 (Artykuł konferencyjny) Ilona Frymark, Grzegorz Kowalski | |
| 3. | Structure of GaAs:Be crystals studied by X-ray quasi-forbidden reflections
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS Nr 362 r. 2004, str. 261-264 (Artykuł konferencyjny) Ilona Frymark, Grzegorz Kowalski, Maria Kamińska, A Krotkus | |
| 4. | "Investigation of the Ga As based layers through the measurement of very weak x-ray reflections"
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS Tom 36 r. 2003, str. 162-165 (Artykuł konferencyjny) Grzegorz Kowalski, Ilona Frymark, Maria Kamińska | |
| 5. | On the properties of the Be-doped low temperature MBE GaAs layers
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY Tom B91-B92 r. 2002, str. 449-452 (Artykuł konferencyjny) Grzegorz Kowalski, Ilona Frymark, A Krotkus, K Bertulis, Maria Kamińska | |
| 6. | X-ray quasi-forbidden reflections study of Be-doped GaAs crystals
ACTA CRYSTALLOGRAPHICA SECTION A Tom A58 r. 2002, str. 360-360 (Komunikat) Grzegorz Kowalski, Ilona Frymark, Maria Kamińska, A Krotkus | |
| 7. | Extended defects in GaN single crystals
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS Tom 34 r. 2001, str. 148-151 (Artykuł konferencyjny) Maria Lefeld-Sosnowska, Ilona Frymark | |
| ||
| 8. | "Mn impurity lattice location in the ferromagnetic zincblende gallium manganese arsenide layer structure"
w: Abstracts of the 7th European Conference on High Resolution X-ray Diffraction and Topography X-Top 2004, str. P20-P20, Conference Comittee, r. 2004 (Komunikat) Ilona Frymark, Grzegorz Kowalski | |
| 9. | Rentgenowskie badania dyfrakcyjne domieszkowanych kryształów GaN
w: Wzrost i Charakteryzacja Kryształów, str. 17-26, Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, r. 2000 (Artykuł konferencyjny) Ilona Frymark, Maria Lefeld-Sosnowska | |