| ||
| 1. | X-ray diffuse-scattering study of defects in α-sapphire
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE Tom 203 Nr 15 r. 2006, str. 3633-3639 (Artykuł) Jerzy Gronkowski, Janusz Borowski, Elżbieta Rohozińska, Małgorzata Kowalska, Krzysztof Pakuła | |
| 2. | Bragg-case section topography of growth defects in Si:Ge crystals
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS Tom 36 r. 2003, str. 133-138 (Artykuł konferencyjny) K Wieteska, W Wierzchowski, W Graeff, Maria Lefeld-Sosnowska, Małgorzata Kowalska | |
| 3. | High resolution X-ray diffraction defect structure characterization in Si-doped and undoped GaN films
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY Tom 91-92 r. 2002, str. 441-444 (Artykuł konferencyjny) Elżbieta Rohozińska, Małgorzata Kowalska, Valeri Harutyunyan, Krzysztof Pakuła, Janusz Borowski | |
| 4. | Interference Fringes in the Plane Wave Topographic Images of Growth Bands in Si:Ge
[ LINK ]
ACTA PHYSICA POLONICA A Tom 101 Nr 5 r. 2002, str. 729-734 (Artykuł konferencyjny) Krzysztof Wieteska, Wojciech Wierzchowski, Walter Graeff, Maria Lefeld-Sosnowska, Małgorzata Kowalska | |
| 5. | Studies of growth bands in Si:Ge crystals
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY Tom B91-92 r. 2002, str. 462-465 (Artykuł konferencyjny) Krzysztof Wieteska, Wojciech Wierzchowski, Walter Graeff, Maria Lefeld-Sosnowska, Małgorzata Kowalska | |
| 6. | Studies of Growth Bands in Si:Ge Crystals
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY Tom 91-92 r. 2002, str. 462-465 (Artykuł konferencyjny) K Wieteska, W Wierzchowski, W Graeff, Maria Lefeld-Sosnowska, Małgorzata Kowalska | |
| 7. | Strain relaxation in Ga1-xInxN thin layers grown on GaN sublayers
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS Tom 328 r. 2001, str. 199-205 (Artykuł konferencyjny) Elżbieta Rohozińska, Jerzy Gronkowski, Krzysztof Pakuła, Małgorzata Majer, Małgorzata Kowalska | |
| 8. | X-ray Diffraction Study of Composition Inhomogeneities in Ga1-xInxN Thin Layers
CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY Tom 36 Nr 8-10 r. 2001, str. 903-910 (Artykuł konferencyjny) Elżbieta Rohozińska, Jerzy Gronkowski, Małgorzata Kowalska, Małgorzata Majer, Krzysztof Pakuła | |
| ||
| 9. | Badania kryształów GaAs metodami wysokorozdzielczej dyfrakcji promieni X
w: Wzrost i Charakteryzacja Kryształów, str. 50-56, Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, r. 2000 (Artykuł konferencyjny) Elżbieta Rohozińska, Jerzy Gronkowski, Tomasz Słupiński, Małgorzata Kowalska | |