Rapid thermal annealing of InAs/GaAs quantum dots under GaAs proximity-cap

Dane publikacji
  
Typ publikacjiPublikacja w czasopi¶mie
Rodzaj publikacjiArtykuł
Tytuł publikacjiRapid thermal annealing of InAs/GaAs quantum dots under GaAs proximity-cap
Adres internetowyhttp://dx.doi.org/10.1063/1.1412279
Tytuł czasopismaAPPLIED PHYSICS LETTERS
Mediumpublikacja drukowana
Tom79
Zeszyt16
Rok wydania2001
Od strony2576
Do strony2578
Numer publikacji
Język publikacjiAngielski
Język etniczny badanej kultury
Zasięgmiędzynarodowy
Rok sprawozdawczy2001

Lista autorów
  
 1. Adam Babiński, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 2. Jacek Jasiński, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 3. Rafał Bożek, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 4. Agnieszka Szepielow, Jednostka zewnetrzna [Współautor]
 5. Jacek Baranowski, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]