Be-doped low-temperature-grown GaAs material for optoelectronic switches

Dane publikacji
  
Typ publikacjiPublikacja w czasopi¶mie
Rodzaj publikacjiArtykuł
Tytuł publikacjiBe-doped low-temperature-grown GaAs material for optoelectronic switches
Adres internetowy
Tytuł czasopismaIEE PROCEEDINGS-OPTOELECTRONICS
Medium
Tom149
Zeszyt
Rok wydania2002
Od strony111
Do strony115
Numer publikacji
Język publikacjiAngielski
Język etniczny badanej kultury
Zasięgmiędzynarodowy
Rok sprawozdawczy2002

Lista autorów
  
 1. Arunas Krotkus, Jednostka zewnetrzna [Współautor]
 2. K. Bertulis, Jednostka zewnetrzna [Współautor]
 3. Maria Kamińska, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 4. Krzysztof Korona, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 5. Agnieszka Woło¶, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 6. J. Siegert, Jednostka zewnetrzna [Współautor]
 7. ... ...,  [...]