| ||
| 1. | Application of microwave spectroscopy to studies of electron transport properties
[ LINK ]
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH Tom 401 r. 2014, str. 314-318 (Artykuł) Agnieszka Wołoś, Aneta Drabińska | |
| 2. | Reduction of bulk carrier concentration in Bridgman-grown Bi2Se3 topological insulator by crystallization with Se excess and Ca doping.
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH Tom 407 r. 2014, str. 63-67 (Artykuł) A. Hruban, S. Strzelecka, A. Materna, Agnieszka Wołoś, E. Jurkiewicz-Wegner, M. Piersa, W. Orłowski, W. Dalecki, Maria Kamińska, M. Romaniec | |
| 3. | Enhancement of elastic and inelastic scattering lengths in quasi-free-standing graphene measured with contactless microwave spectroscopy
[ LINK ]
PHYSICAL REVIEW B Tom 88 Nr 16 r. 2013, str. 165413 / 1-6 (Artykuł) Aneta Drabińska, Maria Kamińska, Agnieszka Wołoś, Włodek Strupiński, Andrzej Wysmołek, Witold Bardyszewski, Rafał Bożek, Jacek Baranowski | |
| 4. | Microwave studies of weak localization and antilocalization in epitaxial graphene
[ LINK ]
AIP CONFERENCE PROCEEDINGS Tom 1566 r. 2013, str. 159-160 (Artykuł konferencyjny) Aneta Drabińska, Agnieszka Wołoś, Maria Kamińska, Włodek Strupiński, Jacek Baranowski | |
| 5. | Three-dimensional topological insulators Bi2Te3, Bi2Se3, and Bi2Te2Se - a microwave spectroscopy study
[ LINK ]
AIP CONFERENCE PROCEEDINGS Tom 1566 r. 2013, str. 197-198 (Artykuł konferencyjny) Agnieszka Wołoś, Aneta Drabińska, Szymon Szyszko, Maria Kamińska, Grażyna Strzelecka, Andrzej Hruban, Andrzej Materna, Michał Piersa | |
| 6. | Contactless microwave studies of weak localization in epitaxial graphene
[ LINK ]
PHYSICAL REVIEW B Tom 86 Nr 4 r. 2012, str. 045421-045421 (Artykuł) Aneta Drabińska, Agnieszka Wołoś, Maria Kamińska, Wlodek Strupiński, Jacek Baranowski | |
| 7. | Landau-Level Spectroscopy of Relativistic Fermions with Low Fermi Velocity in the Bi2Te3 Three-Dimensional Topological Insulator
[ LINK ]
PHYSICAL REVIEW LETTERS Tom 109 Nr 24 r. 2012, str. 247604 / 247604-247604 (Artykuł) Agnieszka Wołoś, Szymon Szyszko, Aneta Drabińska, Maria Kamińska, Stanisława Strzelecka, Andrzej Hruban, Andrzej Materna, Mirosław Piersa | |
| 8. | Electron spin resonance and Rashba field in GaN-based materials
[ LINK ]
PHYSICA B-CONDENSED MATTER Tom 406 Nr 13 r. 2011, str. 2548-2554 (Artykuł) Agnieszka Wołoś, Zbigniew Wilamowski, Czesław Skierbiszewski, Aneta Drabińska, Bolesław Łucznik, Izabela Grzegory, Sylwester Porowski | |
| 9. | Diluted Magnetic III-V Semiconductors With Mn For Possible Spintronic Applications
AIP CONFERENCE PROCEEDINGS Tom 893 r. 2007, str. 1201-1202 (Artykuł konferencyjny) Agnieszka Wołoś, Marcin Zając, Jacek Gosk, Krzysztof Korona, Dariusz Wasik, Andrzej Wysmołek, M Palczewska, I. Grzegory, M. Bockowski, M. Piersa, G. Strzelecka, A. Hruban, Maria Kamińska, Andrzej Twardowski | |
| 10. | Magnetic anisotropy of bulk GaN:Mn single crystals codoped with Mg acceptors
PHYSICAL REVIEW B Tom 71 r. 2005, str. 094432 / 1-7 (Artykuł) Jacek Gosk, Marcin Zając, Agnieszka Wołoś, Maria Kamińska, Andrzej Twardowski | |
| 11. | Mn Impurity in Bulk GaAs Crystal
[ LINK ]
ACTA PHYSICA POLONICA A Tom 108 Nr 5 r. 2005, str. 825-830 (Artykuł) M Pawłowski, M Piersa, Agnieszka Wołoś, M Palczewska, G Strzelecka, A Hruban, J Gosk, Maria Kamińska, Andrzej Twardowski | |
| 12. | Neutral Mn acceptor in bulk GaN in hihg magnetic fields
PHYSICAL REVIEW B Tom 70 r. 2004, str. 245202 / 1-8 (Artykuł) Agnieszka Wołoś, Andrzej Wysmołek, Maria Kamińska, Andrzej Twardowski, M Boćkowski, I Grzegory, S Porowski, M Potemski | |
| 13. | Optical and magnetic properties of Mn in bulk GaN
PHYSICAL REVIEW B Tom 69 r. 2004, str. 115210 / 1-7 (Artykuł) Agnieszka Wołoś, M Palczewska, Marcin Zając, Jacek Gosk, Maria Kamińska, Andrzej Twardowski, M Boćkowski, I Grzegory, S Porowski | |
| 14. | Proporties of arsenic antisite defects in Ga(1-x)Mn(x)As
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Tom 96 Nr 1 r. 2004, str. 530-533 (Artykuł) Agnieszka Wołoś, Maria Kamińska, M Palczewska, Andrzej Twardowski, X Liu, T Wojtowicz, J Furdyna | |
| 15. | Mn Impurity in GaN Studied by Electron Paramagnetic Resonance
[ LINK ]
ACTA PHYSICA POLONICA A Tom 103 Nr 6 r. 2003, str. 595-600 (Artykuł konferencyjny) Agnieszka Wołoś, M Palczewska, Z Wilamowski, Maria Kamińska, Andrzej Twardowski, M Boćkowski, I Grzegory, S Porowski | |
| 16. | S-d exchange interaction in GaN : Mn studied by electron paramagnetic resonance
APPLIED PHYSICS LETTERS Tom 83 r. 2003, str. 5428-5430 (Artykuł) Agnieszka Wołoś, M Palczewska, Z Wilamowski, Maria Kamińska, Andrzej Twardowski, M Boćkowski, I Grzegory, Sylwester Porowski | |
| 17. | Be-doped low-temperature-grown GaAs material for optoelectronic switches
IEE PROCEEDINGS-OPTOELECTRONICS Tom 149 r. 2002, str. 111-115 (Artykuł) Arunas Krotkus, K. Bertulis, Maria Kamińska, Krzysztof Korona, Agnieszka Wołoś, J. Siegert, ... ... | |
| 18. | Measurement of Very Small Zeeman Splittings in GaN:Mn,Mg by Faraday Rotation
[ LINK ]
ACTA PHYSICA POLONICA A Tom 102 Nr 4-5 r. 2002, str. 695-699 (Artykuł) Agnieszka Wołoś, Piotr Kossacki, Andrzej Golnik, Maria Kamińska, Jan Gaj, Andrzej Twardowski, I Grzegory, M Boćkowski, Sylwester Porowski | |
| 19. | Electron spin resonance of erbium in gallium nitride
SOLID STATE COMMUNICATIONS Tom 114 r. 2000, str. 39-41 (Artykuł) Maria Palczewska, Agnieszka Wołoś, Maria Kamińska, Izabela Grzegory, Maciej Boćkowski, Stanisław Krukowski, Tadeusz Suski, Sylwester Porowski | |
| ||
| 20. | Magnetic Impurities In Wide Band-gap III-V Semiconductors
w: Spintronics, Volume 82 (Semiconductors and Semimetals), str. 325-370, Academic Press, Elsevier, r. 2008 (Esej lub rozdział w książce) Agnieszka Wołoś, Maria Kamińska | |
| 21. | Neutral Mn Acceptor in GaN Studied in High Magnetic Fields
w: Proc.Conf. Physics of Semiconductors ICPS-27: 27th Intern. Conf. Phys. Semicond., Flagstaff, Arizona 16-30 July 2004, str. 251-252, AIP (American Institute of Physics) Publishing, r. 2005 (Artykuł konferencyjny) Agnieszka Wołoś, Andrzej Wysmołek, Maria Kamińska, Andrzej Twardowski, M Boćkowski, I Grzegory, S Porowski, M Potemski | |
| 22. | Electron and Hole Trapping Parameters of Low-temperature-grown GaAs
w: Proceedings 12th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, str. 217-220, r. 2003 (Artykuł konferencyjny) J Roux, J Coutaz, S Marcinkevicius, J Siegert, Maria Kamińska, Agnieszka Wołoś, A Krotkus | |
| 23. | Mn impurity in GaN monocrystals
w: Proc. 26th Conf. Phys. Semicond., Edinburgh 2002, str. D441-D447, IOP Publishing, r. 2003 (Artykuł konferencyjny) Agnieszka Wołoś, Marcin Zając, Jacek Gosk, M Palczewska, Maria Kamińska, Andrzej Twardowski, M Boćkowski, I Grzegory, S Porowski | |
| 24. | Influence of Be doping on material properties of low-temperature-grown GaAs
w: Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, str. 1.4.1-1.4.6, Materials Research Society, r. 2002 (Artykuł konferencyjny) Saulius Marcinkevicius, Andreas Gaarder, Jorg Siegert, Jean-Francois Roux, Jean-Louis Coutaz, Agnieszka Wołoś, Maria Kamińska, Ramunas Adomavicius, Klemensas Bertulis, Arunas Krotkus | |