| Dane publikacji |
|---|
| | |
| Typ publikacji | Publikacja w książce |
| Rodzaj publikacji | Artykuł konferencyjny |
| Tytuł publikacji | Shallow Donor Solubility Mechanism: Tellurium in GaAs |
| Adres internetowy | |
| Tytuł książki | Shallow-Level Centers in Semiconductors - Proc. 7th Int. Conf., Amsterdam, 1996 |
| Tom | |
| Od strony | 369 |
| Do strony | 374 |
| Liczba arkuszy | |
| Liczba stron | |
| Oznaczenie wydania | |
| Miejsce wydania | Singapore |
| Nazwa wydawcy | World Scientific Publ., |
| Rok wydania | 1997 |
| Tytuł serii | |
| Numer w serii | |
| Numer publikacji | |
| Język publikacji | Angielski |
| Język etniczny badanej kultury | |
| Zasięg | krajowy |
| Rok sprawozdawczy | 1997 |