Local order of Te impurity atoms in heavily doped GaAs:Te and accompanying electron localization effect

Dane publikacji
  
Typ publikacjiPublikacja w książce
Rodzaj publikacjiArtykuł konferencyjny
Tytuł publikacjiLocal order of Te impurity atoms in heavily doped GaAs:Te and accompanying electron localization effect
Adres internetowy
Tytuł książkiSelf-Organized Processes in Semiconductor Alloys
Tom
Od strony261
Do strony266
Liczba arkuszy
Liczba stron
Oznaczenie wydania
Miejsce wydaniaPittsburgh, Pennsylvania
Nazwa wydawcyMaterials Research Society
Rok wydania2000
Tytuł seriiMaterials Research Society Symposium Proceedings
Numer w serii583
Numer publikacji
Język publikacjiAngielski
Język etniczny badanej kultury
Zasięgmiędzynarodowy
Rok sprawozdawczy2000

Lista autorów
  
 1. Elżbieta Rohozińska, Zakład Badań Strukturalnych [Współautor]
 2. Tomasz Słupiński, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]