Strain relaxation in Ga1-xInxN thin layers grown on GaN sublayers

Dane publikacji
  
Typ publikacjiPublikacja w czasopi¶mie
Rodzaj publikacjiArtykuł konferencyjny
Tytuł publikacjiStrain relaxation in Ga1-xInxN thin layers grown on GaN sublayers
Adres internetowy
Tytuł czasopismaJOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
Medium
Tom328
Zeszyt
Rok wydania2001
Od strony199
Do strony205
Numer publikacji
Język publikacjiAngielski
Język etniczny badanej kultury
Zasięgmiędzynarodowy
Rok sprawozdawczy2001

Lista autorów
  
 1. Elżbieta Rohozińska, Zakład Badań Strukturalnych [Współautor]
 2. Jerzy Gronkowski, Zakład Badań Strukturalnych [Współautor]
 3. Krzysztof Pakuła, Zakład Fizyki Ciała Stałego [Współautor]
 4. Małgorzata Majer, Jednostka zewnetrzna [Współautor]
 5. Małgorzata Kowalska, Studia dzienne - doktoranckie Wydziału Fizyki [Współautor]