| Dane publikacji |
|---|
| | |
| Typ publikacji | Publikacja w czasopi¶mie |
| Rodzaj publikacji | Artykuł konferencyjny |
| Tytuł publikacji | High resolution X-ray diffraction defect structure characterization in Si-doped and undoped GaN films |
| Adres internetowy | |
| Tytuł czasopisma | MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY |
| Medium | |
| Tom | 91-92 |
| Zeszyt | |
| Rok wydania | 2002 |
| Od strony | 441 |
| Do strony | 444 |
| Numer publikacji | |
| Język publikacji | Angielski |
| Język etniczny badanej kultury | |
| Zasięg | międzynarodowy |
| Rok sprawozdawczy | 2002 |